خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Spectroscopic ellipsometry of interfacial phase transitions in fluid metallic systems: KxKCl1-x and Ga1-xBix

توضیحاتی در مورد کتاب

بررسی انتقال فازهای سطحی در سیستم‌های سیال با برهمکنش‌های بین فلزی کوتاه‌برد از علاقه زیادی برخوردار است. پدیده‌ها در دو سیستم که شکاف امتزاج‌پذیری مایع-مایع را نشان می‌دهند مورد مطالعه قرار گرفتند: در رابط مایع/دیوار در سیال KxKCl1-x و در رابط سیال/خلاء آلیاژهای Ga1 xBix. برای توصیف تغییرات سطحی لایه های فوق نازک (ترکیب، ضخامت و تکامل آنها با زمان) بیضی سنجی طیف سنجی در یک محدوده طیفی گسترده انجام شد. در حالی که در آزمایش‌های روی KxKCl1-x می‌توان از یک بیضی‌سنج موجود استفاده کرد، یک دستگاه کاملاً جدید UHV شامل بیضی‌سنج مدولاسیون فاز درجا باید برای آلیاژهای Ga1 xBix ساخته می‌شد. برای سیستم KxKCl1-x نتایج جدیدی در مورد خیس شدن کامل در همزیستی جامد-مایع و همچنین در فاز مایع همگن (پیش خیس شدن) ارائه شده است. طیف ها جذب مرکز F معمولی را نشان می دهند که نشان می دهد فیلم یک فاز غنی از نمک است. ضخامت با نزدیک شدن به مونوتکتیک از 30 تا 440 نانومتر به شدت افزایش می‌یابد که با سناریوی خیس شدن نقطه تترا مطابقت دارد. برای این تفسیر یک توصیف کمی از انرژی گیبس اضافی ایجاد شده است. برای سیستم Ga1 xBix نتایج در مورد خیس شدن کامل، انجماد سطح و ناپایداری های سطحی نوسانی ارائه شده است. طیف های با دقت بالا به امتزاج پذیری مایع-مایع نزدیک می شوند. این طیف ها با استفاده از یک تقریب متوسط ​​موثر Ga-Bi برای بستر پوشش داده شده توسط یک فیلم از مایع Bi مدل شده اند. اندازه گیری ها شواهدی از خیس شدن نقطه تترا در سیستم Ga-Bi را نشان می دهد. اولین مطالعه بیضی سنجی انجماد سطح در Ga-Bi انجام شده است. در شکاف امتزاج پذیری اثر بسیار جالبی از ناپایداری نوسانی سطح و توده مشاهده شد. جزئیات این فرآیند در حال حاضر به خوبی درک نشده است، اما یک توصیف کیفی ارائه شده است.