خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Picosecond Electronics and Optoelectronics
167,000 تومان قیمت اصلی 167,000 تومان بود.92,000 تومانقیمت فعلی 92,000 تومان است.
تعداد فروش: 78
| عنوان فارسی |
Picosecond Electronic و Optoelectronics |
|---|---|
| عنوان اصلی | Picosecond Electronics and Optoelectronics |
| ناشر | |
| نویسنده | Sollner T.C.L.G., Shah J. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 282 |
| دسته | ابزار |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 17 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
OSA Proc. در Picosecond Electronics and Optoelectronics، جلد. 9, 1991, 282 p.
این جلد مجموعه ای از مقالاتی است که در چهارمین نشست موضوعی Picosecond Electronics and
Optoelectronics در انجمن نوری ارائه شده است. از امریکا. هدف از این نشست
موضوعی، از زمان آغاز آن در سال 1985، ایجاد تعامل بیشتر بین بخشهای
جوامع الکترونیک و اپتیک بوده است که مرزها را به سوی سرعتهای
بالاتر سوق دادهاند. . صفحات بعدی برخی از نتایج موفقیت آمیز این تلاش ها را نشان می دهد. این مقدمه
بهعنوان مقدمه و خلاصهای از جلسه و راهنمایی برای این اقدامات است.
فصل اول به طور خلاصه وضعیت هنر در زمینه نسبتاً جدید را با مطالعه نسل و
انتشار پالس های الکترومغناطیسی با پهنای باند تراهرتز. این پالسها پیامدهای قابل توجهی برای طیفسنجی فروسرخ دور و مطالعات مواد اساسی دارند. فصل دوم شامل پیشرفتهای اخیر در تکنیکهای مورد استفاده برای اپتوالکترونیک فوقسریع است. این شامل
اندازهگیری انتشار پالس پیکوثانیه در یک و دو بعد میشود.
فصل سوم حس کردن میدانهای الکتریکی با تغییرات سریع توسط پالسهای نوری پیکوثانیه را تشریح میکند.
این تکنیکها از وابستگی شاخص استفاده میکنند. شکست، و از این رو مسیر نوری
طول، در میدان الکتریکی. برای GaAs، میدانهای الکتریکی در بستر را میتوان مستقیماً کاوش کرد، اما برخی از تکنیکها مواد غیرخطی را برای نمونهبرداری از میدانها به داخل منتقل میکنند.
فصل چهارم بهبودهایی را در آشکارسازهای فوقسریع مورد نیاز برای نوری با سرعت بالا پوشش میدهد. />ارتباطات. تاکید بر سرعت و همچنین کارایی کوانتومی است.
فصل پنجم شامل چندین مقاله در مورد دستگاه های الکترونیکی پرسرعت است. سریعترین ترانزیستورها
ارائه شده اند، هم آنهایی که مبتنی بر سیلیکون هستند و هم دستگاههای In-V، و برخی از کاربردهای منحصر به فرد
دستگاههای سریع و دو ترمینالی نیز مورد بحث قرار گرفته است.
فصل ششم بر روی آنها تمرکز دارد. اندازهگیری عملکرد مدارهای موج میلیمتری با استفاده از تکنیکهای نمونهبرداری نوری. این تکنیکها در حوزه زمان به چیزی دست مییابند که به طور سنتی
در فرکانسهای پایینتر در حوزه فرکانس انجام میشود.
فصل هفتم پیشرفتهای فناوری لیزرهای فوق سریع را گزارش میکند. پالسهای کوتاه و به خوبی کنترلشده
برای ارتباطات نوری مورد نیاز است، و یک مقاله یک لیزر قفلشده در حالت با نرخ تکرار تا
350 گیگاهرتز را توصیف میکند.
در مقالههای فصل هفتم در مورد تونلزنی و تونل رزونانس ارائه شده است. ذخیره بار در
چاه یک دیود تونل زنی رزونانس اندازه گیری شده است، و تونل زنی بین دو چاه که توسط یک مانع تونل زنی کوپل شده اند در چندین مقاله مورد بررسی قرار گرفته است.
فصل نهم تمام مقالات را با تاکید زیادی بر توسعه مواد دستگاههای
که از لایههای کشیده، آرسنید گالیوم رشد یافته توسط اپیتاکسی پرتو مولکولی در دماهای پایین استفاده میکنند،
و مواد غیرخطی مورد بررسی قرار میگیرند.
فصل X حاوی خلاصههای خلاصهای از نویسندگانی است که مایل به نوشتن یک مقاله نیستند.
مقاله مبسوط برای این جلد دادرسی.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.