خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Photoemission from Optoelectronic Materials and their Nanostructures

توضیحاتی در مورد کتاب



انتشار عکس از مواد اپتوالکترونیک و نانوساختارهای آنها اولین تک نگاری است که تابش نوری نوری غیرخطی کم‌بعد، III-V، II-VI، GaP، Ge، PtSb₂ را بررسی می‌کند، شکاف صفر، فشار، بیسموت، نانولوله های کربنی، GaSb، IV-VI، Pb_1-xGe_xTe، گرافیت، Te، II-V، ZnP₂، CdP₂، Bi₂Te₃، Sb و IV-VI. این بررسی منجر به بحث در مورد ابرشبکه‌های محدود کوانتومی III-V، II-VI، IV-VI و HgTe/CdTe و ابرشبکه‌های مواد اپتوالکترونیکی می‌شود. عکس تحریک ساختار نواری ترکیبات اپتوالکترونیکی را به روش‌های اساسی تغییر می‌دهد، که در تجزیه و تحلیل تابش نور از ساختارهای ماکرو و میکرو این مواد بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرمول‌بندی شده که مطالعات دستگاه‌های اثر کوانتومی را کنترل می‌کند، گنجانده شده است. در حضور نور اهمیت اندازه گیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور عکس تحریک خارجی از این منظر مورد بحث قرار گرفته است. این مونوگراف شامل 125 مسئله تحقیقاتی باز است که بخشی جدایی ناپذیر از متن را تشکیل می‌دهد و برای دوره‌های تحصیلات تکمیلی اپتوالکترونیک مدرن، علاوه بر دانشجویان مشتاق دکترا و محققان در زمینه‌های علوم مواد، محاسبات و نانو نظری مفید است. علم و فناوری، اپتوالکترونیک نیمه هادی، ساختارهای کوانتیزه، فیزیک نیمه هادی ها و فیزیک ماده چگال.