اگه کتاب خاصی میخواید کلیک کنید >
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Das große Hochspannungs- und Hochfrequenz-Experimentier-Handbuch
قیمت اصلی 153,000 تومان بود.78,000 تومانقیمت فعلی 78,000 تومان است.
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Electric, Optic, and Acoustic Interactions in Dielectrics
قیمت اصلی 135,000 تومان بود.60,000 تومانقیمت فعلی 60,000 تومان است.
📥 ترافیک اینترنت مصرفی جهت دانلود فایلها در الی فایل، بهصورت نیمبها می باشد.
فقط اینقدر👇 دیگه زمان داری با تخفیف بخریش
00روز
10ساعت
26دقیقه
33ثانیه
-55%
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب P – and n – type microcrystalline silicon oxide (μc-SiOx: H) for applications in thin film silicon tandem solar cells
قیمت اصلی 137,000 تومان بود.62,000 تومانقیمت فعلی 62,000 تومان است.
تعداد فروش: 48
| عنوان فارسی |
اکسید سیلیکون میکروکریستالی نوع P و n (μc-SiOx: H) برای کاربرد در سلول های خورشیدی پشت سر هم سیلیکونی لایه نازک |
|---|---|
| عنوان اصلی | P – and n – type microcrystalline silicon oxide (μc-SiOx: H) for applications in thin film silicon tandem solar cells |
| ناشر | |
| نویسنده | Smirnov et al. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 18 |
| دسته | فیزیک حالت جامد |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 715 کیلوبایت |
1
آیتم فروخته شده در 55 دقیقه
5
نفر در حال مشاهده این محصول هستند!
توضیحات
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
IEK-5 Photovoltaik، Forschungszentrum Jülich GmbH، 2004. — 18 S.
ما در مورد توسعه و کاربرد آلیاژهای اکسید سیلیکون میکروکریستالی هیدروژنه شده (μc-SiOx:H) نوع p و n در سیلیکون لایه نازک پشت سر هم گزارش می کنیم. سلول های خورشیدی. نتایج ما نشان میدهد که خواص نوری، الکتریکی و ساختاری μc-SiOx:H را میتوان به راحتی در محدوده وسیعی تنظیم کرد تا الزامات کاربردهای سلولهای خورشیدی را برآورده کند. ما نشان دادهایم که افزودن گاز PH3 در طول رسوبگذاری باعث افزایش بلورینگی لایههای μc-SiOx: H میشود، در حالی که TMB اضافی تمایل به سرکوب رشد کریستالی دارد. هنگامی که در سلول های خورشیدی پشت سر هم اعمال می شود، هر دو نوع p و n μc-SiOx:H منجر به افزایش قابل توجه جریان سلول بالایی می شود. بهره گیری از ضریب شکست کم و شکاف باند نوری بالای میکروسیون SiOx:H امکان دستیابی به راندمان بالای 13.1٪ (اولیه) و 11.8٪ (تثبیت شده) را فراهم می کند.
نظرات (0)
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.