خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams
139,000 تومان قیمت اصلی 139,000 تومان بود.64,000 تومانقیمت فعلی 64,000 تومان است.
تعداد فروش: 67
| عنوان فارسی |
توزیع آهن در سیلیکون کاشته شده تحت تأثیر پرتوهای یون پالسی و لیزر پرقدرت |
|---|---|
| عنوان اصلی | Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams |
| ناشر | |
| نویسنده | Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 5 |
| دسته | مهندسی مکانیک |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 160 کیلوبایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
الزیور ابزار و روشهای هستهای در تحقیقات فیزیک B 240 (2005) 224-228
نتایج بررسی ترکیب فاز، ریزساختار و توزیع عمق ناخالص در لایههای سیلیکونی کاشتهشده با یونهای آهن و بازپخت با یون پالسی و پرتوهای لیزر داده شده. داده های پراش اشعه ایکس انتقال فاز FeSi→β-FeSi2 را با افزایش چگالی انرژی پالس نشان می دهد. پس از کاشت یون و درمان های پالسی، لایه های سیلیکون دارای ساختار سلولی مرتبط با حلالیت کم آهن در سیلیکون هستند. بسته به غلظت اتمی آهن، یا جدا شدن ماده ناخالص به سطح یا انتشار به سیلیکون صورت می گیرد. این وابستگی با انتشار سریع آهن در سیلیکون مایع و افزایش ضریب توزیع ناخالص هنگام افزایش غلظت ناخالص توضیح داده می شود. نتایج شبیهسازی کامپیوتری به خوبی با دادههای تجربی در مورد توزیع عمق آهن مطابقت دارد و ضریب تفکیک نزدیک به 1 را در بالاترین غلظت ناخالصی میدهد.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.