خرید و دانلود نسخه کامل کتاب High-Power Ion beam Sources for Semiconductor’s Technologies
141,000 تومان قیمت اصلی 141,000 تومان بود.66,000 تومانقیمت فعلی 66,000 تومان است.
تعداد فروش: 46
| عنوان فارسی |
منابع پرتو یونی پرقدرت برای فناوری های نیمه هادی |
|---|---|
| عنوان اصلی | High-Power Ion beam Sources for Semiconductor’s Technologies |
| ناشر | |
| نویسنده | Opekounov M.S., Grushin I.I. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 5 |
| دسته | مهندسی مکانیک |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 484 کیلوبایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
موسسه مهندسین برق و الکترونیک (IEEE). فیزیک کوروس 2001 0-7803-7008-2/01 p.366-370
در این گزارش دو منبع پرتوهای یونی پرقدرت با مدت زمان نانوثانیه شرح داده شده است، یک واحد MUK و یک واحد TEMP. آنها پرتوهای یونی با انرژی یونی تا 500 کو تولید می کنند. مدت زمان مکش به ترتیب 20-200 و 50 ثانیه است. دو حالت عملیاتی وجود دارد که به ترتیب MUK و TEMP برای آنها تعیین شده است. اولین مورد، کاشت یون سنگین است، پارامترهای پرتو به شرح زیر است: ترکیب پرتو را می توان از طیف وسیعی از H+، Cn+، Aln+، Mgn+، Fen+، Wn+ و غیره تغییر داد. چگالی جریان از 1 تا 20 A/cm2 در هر پالس. شار انرژی کل تا 20 ژول. و دومی که عمدتاً برای اعمال تأثیر انرژی استفاده می شود پارامترهای زیر را دارد: ترکیب پرتو یون های H+ و Cn+ مخلوط است. چگالی جریان 40-200 A/cm2 در هر پالس. شار انرژی کل 0,3-0,5 کیلوژول. منابع را می توان با سیستم های دیودی مختلف تهیه کرد. آنها را می توان در تحقیقات مواد و فناوری نیمه هادی ها به کار برد.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.