خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Defects in microelectronic materials and devices

توضیحاتی در مورد کتاب

کشف نقایصی که عملکرد و قابلیت اطمینان را به خطر می اندازد، همانطور که ویژگی ها و دستگاه های میکروالکترونیک کوچکتر و پیچیده تر می شوند، بسیار مهم است که مهندسان و فناوران به طور کامل درک کنند که چگونه قطعات می توانند در طی فرآیندهای ساخت پیچیده تر مورد نیاز برای تولید آنها آسیب ببینند. این کتاب یک بررسی جامع از نقص‌هایی است که در فن‌آوری‌های ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلزی مبتنی بر سیلیکون (MOSFET) رخ می‌دهد، همچنین نقص‌های فناوری‌های دوقطبی خطی، دستگاه‌های مبتنی بر کاربید سیلیکون، و مواد و دستگاه‌های آرسنید گالیم را مورد بحث قرار می‌دهد. این عیوب می توانند عمیقاً بر بازده، عملکرد، قابلیت اطمینان طولانی مدت و پاسخ تشعشع دستگاه های میکروالکترونیک و مدارهای مجتمع (IC) تأثیر بگذارند. این متن با سازماندهی مطالب برای درک مشکلات و ارائه یک مرجع سریع برای دانشمندان، مهندسان و فن‌شناسان، عیوب و ناخالصی‌های محدودکننده بازده و عملکرد را در لایه سیلیکون دستگاه، در عایق دروازه و/یا در شرایط بحرانی بررسی می‌کند. رابط Si/SiO2. سپس به بررسی عیوبی می‌پردازد که بر عملکرد تولید و قابلیت اطمینان طولانی‌مدت تأثیر می‌گذارند، از جمله: جاهای خالی، بینابینی‌ها و ناخالصی‌ها (به ویژه هیدروژن) ناپایداری‌های دمایی بایاس منفی نقص در اکسیدهای بسیار نازک (SiO2 و اکسی نیترید سیلیکون) رویکردی فعال دارند نویسندگان چندین دهه تجربه را متراکم کرده‌اند. و دیدگاه‌های تجربی‌شناسان و نظریه‌پردازان برجسته برای توصیف ویژگی‌های نقص و تأثیر آنها بر دستگاه‌های میکروالکترونیکی. آنها نقص ها را شناسایی می کنند، راه حل هایی برای اجتناب از آنها و روش هایی برای تشخیص آنها ارائه می دهند. اینها شامل استفاده از تصویربرداری سه بعدی و همچنین روش های الکتریکی، تحلیلی، محاسباتی، طیف سنجی و میکروسکوپی پیشرفته است. این کتاب نگاهی ارزشمند به چالش‌های ناشی از مواد در حال ظهور است، مانند دی‌الکتریک‌های دروازه‌ای با پتاسیم بالا و بسترهای با تحرک بالا که برای جایگزینی Si02 به عنوان ماده دی‌الکتریک دروازه ترجیحی، و بسترهای با تحرک بالا توسعه می‌یابند.