خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications

توضیحاتی در مورد کتاب

این کتاب شامل سخنرانی های کلیدی است که در سومین مدرسه Porquerolles در علوم سطح، SIR2000 (سطوح-واسط ها-آرامش) ارائه شده است. هدف این مکتب بررسی مفاهیم اصلی لازم برای درک نقش تنش سطحی، کرنش و آرامش در رشد کریستال توسط هترواپیتاکسی بود. با گرد هم آوردن دانشمندان رشته‌های مختلف (فیزیک، شیمی، علم مواد و مهندسی) که روزانه از رویکردهای روش‌شناختی مکمل (آزمایش، تئوری، مدل‌سازی) استفاده می‌کنند، مدرسه اجازه ارائه 11 دوره چند رشته‌ای را داد. این کتاب به وضعیت هنر تنش در مواد همپایی می‌پردازد، روش‌های مختلف اندازه‌گیری جابجایی اتمی و میدان‌های تنش را توصیف می‌کند، روش‌های طیف‌سنجی لازم برای نقشه‌برداری از شیمی رابط را بررسی می‌کند، روش‌های نظری و مفاهیم مورد نیاز را به تفصیل شرح می‌دهد. آن‌ها را پیش‌بینی می‌کند و این واقعیت را زیر سوال می‌برد که تنش و آرامش می‌توانند خواص خاصی را در مغناطیس، کاتالیز، انتقال الکترون و غیره ایجاد کنند. زمینه تنش و کرنش در هترواپیتاکسی پیشرفت‌های بزرگی در طول ده سال گذشته داشته است. تکنیک‌های جدیدی برای راه‌اندازی دستگاه‌های جدیدی استفاده شده است که در آن عملکردها از طریق ساختار در مقیاس نانومتری به دست می‌آیند. یکپارچگی در مقیاس بزرگ و ابعاد کاهش یافته عوامل کلیدی برای بهینه سازی دستاوردهای این دستگاه ها هستند. این دستگاه‌ها که قبلاً در صنعت (چاه‌های کوانتومی، حسگرهای مغناطیسی) استفاده می‌شدند، با اپیتاکسی پرتو مولکولی، کندوپاش یا رسوب لیزر پالسی به دست می‌آیند. ابعاد کاهش یافته آنها تعداد سطوح و رابط ها را افزایش داد که نقش آنها باید دقیق شود. اکنون آزمایش‌گران سعی می‌کنند موادی را با ساختار کریستالی و ترکیب شیمیایی بسیار متفاوت مرتبط کنند. تنش الاستیک ذخیره شده در دستگاه می تواند پدیده های مختلفی را القا کند که باید ارزیابی، درک و پیش بینی شوند. این کتاب همچنین قصد دارد نشان دهد که بسیاری از سؤالات هنوز در حال بحث هستند.