اگه کتاب خاصی میخواید کلیک کنید >
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب The IGBT device: physics, design and applications of the insulated gate bipolar transistor
قیمت اصلی 169,000 تومان بود.94,000 تومانقیمت فعلی 94,000 تومان است.
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب RF and Microwave Module Level Design and Integration
قیمت اصلی 165,000 تومان بود.90,000 تومانقیمت فعلی 90,000 تومان است.
📥 ترافیک اینترنت مصرفی جهت دانلود فایلها در الی فایل، بهصورت نیمبها می باشد.
فقط اینقدر👇 دیگه زمان داری با تخفیف بخریش
00روز
10ساعت
24دقیقه
04ثانیه
-50%
خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design
قیمت اصلی 151,000 تومان بود.76,000 تومانقیمت فعلی 76,000 تومان است.
تعداد فروش: 73
| عنوان فارسی |
طراحی تقویت کننده قدرت میلی متری Aave GaN |
|---|---|
| عنوان اصلی | Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design |
| ناشر | Artech House |
| نویسنده | Edmar Camargo |
| ISBN | 1630819441, 9781630819446 |
| سال نشر | 2022 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 339 |
| دسته | الکترونیک |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 18 مگابایت |
1
آیتم فروخته شده در 55 دقیقه
4
نفر در حال مشاهده این محصول هستند!
توضیحات
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
برای مهندسانی که شروع به کار با امواج میلی متری می کنند، کامارگو روش های مهمی را برای طراحی مدارهای مجتمع میلی متری توضیح می دهد. او بر روی فناوری نیترید گالیوم (GaN) تمرکز میکند، که در حال حاضر به دلیل قابلیتهای آن برای قدرت، بهره و کارایی بالا، بر کاربردهای موج میلیمتری توان غالب است، اما او میگوید این ماده باید برای هر فناوری مبتنی بر اثر میدانی قابل استفاده باشد. او مدلهایی را برای فناوری GaN، تقویتکنندههای ترانزیستور اثر میدانی، تطبیق امپدانس، تقویتکنندههای توان و پیشرفتهترین تقویتکنندههای مدار مجتمع میلیمتری پوشش میدهد. حاشیه نویسی ©2022 Ringgold, Inc., Portland, OR (protoview.com)
نظرات (0)
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.