خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology

توضیحاتی در مورد کتاب

چالش عمده فعلی برای دستگاه های نیمه هادی، توسعه مواد برای نسل بعدی سیستم های ارتباطی نوری و برنامه های کاربردی تبدیل انرژی خورشیدی است. اخیراً، تحقیقات گسترده نشان داده است که ورود تنها چند درصد نیتروژن به شبکه نیمه هادی III-V منجر به کاهش چشمگیر شکاف باند می شود. این کشف امکان استفاده از این سیستم های مواد را برای کاربردهای مختلف از لیزر گرفته تا سلول های خورشیدی باز کرده است. “فیزیک و فناوری نیمه هادی های نیترید رقیق III-V و سیستم های جدید مواد نیترید رقیق” وضعیت فعلی تحقیق و توسعه در نیتریدهای رقیق III-V را با 24 فصل از گروه های تحقیقاتی برجسته که پیشرفت های اخیر در تکنیک های رشد را پوشش می دهد، مرور می کند. توصیف ساختار باند، نقص‌های انتقال حامل، خواص انتقال، رفتار دینامیکی اتم‌های N، کاربردهای دستگاه، مدل‌سازی طراحی دستگاه، مدارهای مجتمع نوری جدید، و نیتروژن جدید حاوی مواد III-V.