خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

توضیحاتی در مورد کتاب



مبانی ماسفت های نیمه هادی III-V مبانی و وضعیت فعلی تحقیق ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET) را ارائه می دهد که به عنوان جایگزینی در آینده در نظر گرفته می شود. سیلیکون در مدارهای دیجیتال مواد پوشش داده شده با مروری بر خواص خاص نیمه هادی های III-V و فناوری های موجود که آنها را برای فناوری ماسفت جذاب می کند، مانند ساختارهای ناهمگون مهندسی باند، اثر کرنش، کنترل مقیاس نانو در طول رشد همپایی آغاز می شود.

به دلیل به دلیل عدم وجود اکسیدهای بومی پایدار از نظر ترمودینامیکی در III-V (مانند SiO₂ روی Si)، اکسیدهای high-k انتخاب طبیعی دی الکتریک برای ماسفت های III-V هستند. چالش کلیدی فناوری III-V MOSFET یک دی الکتریک دروازه ای با کیفیت بالا و پایدار از نظر ترمودینامیکی است که حالت های رابط را غیرفعال می کند، مشابه SiO₂ در Si. چندین فصل شرح مفصلی از علم مواد و رفتار الکترونیکی دی الکتریک های مختلف و رابط های مرتبط، و همچنین فیزیک دستگاه های ساخته شده و فن آوری های ساخت ماسفت ارائه می دهد.

موضوعات همچنین شامل پیشرفت های اخیر و درک سیستم های مختلف مواد می باشد. مسائل خاص برای اندازه‌گیری الکتریکی پشته‌های دروازه و FET با کانال‌های باندگپ کم و گسترده و چگالی تله رابط بالا. مسیرهای احتمالی ادغام مواد نیمه هادی مختلف روی پلت فرم Si.