خرید و دانلود نسخه کامل کتاب CMOS Processors and Memories
85,500 تومان قیمت اصلی 85,500 تومان بود.48,000 تومانقیمت فعلی 48,000 تومان است.
تعداد فروش: 76
| عنوان فارسی | پردازنده ها و حافظه های CMOS |
|---|---|
| عنوان اصلی | CMOS Processors and Memories |
| ویرایش | 1 |
| ناشر | Springer Netherlands |
| نویسنده | Umesh Gajanan Nawathe (auth.), Krzysztof Iniewski (eds.) |
| ISBN | 9048192153, 9789048192151 |
| سال نشر | 2010 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 387 |
| دسته | الکترونیک: پردازش سیگنال |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 10 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
پردازندهها و حافظههای CMOS به جدیدترین فناوریها در طراحی مدارهای مجتمع در زمینه سیستمهای محاسباتی نوظهور میپردازد. فرصت های طراحی جدید در حافظه ها و پردازنده مورد بحث قرار می گیرد. مواد نوظهوری که میتوانند عملکرد سیستم را فراتر از CMOS استاندارد ببرند، مانند نانولولههای کربنی، گرافن، فروالکتریک و اتصالات تونلی مورد بررسی قرار میگیرند. خاطرات. در قسمت اول با طراحی پردازنده با کارایی بالا و توان کم شروع می کنیم و به دنبال آن فصلی در مورد پردازش چند هسته ای ارائه می شود. هر دو آنها مفاهیم پیشرفته را در صنعت محاسبات فعلی نشان می دهند. فصل سوم به طراحی ناهمزمان می پردازد که هنوز نویدهای زیادی برای نیازهای محاسباتی آینده دارد. در پایان ما یک روش “کاوش فضای طراحی سخت افزار” را برای پیاده سازی و تجزیه و تحلیل سخت افزار برای چارچوب استنتاج بیزی ارائه می کنیم. این روش خاص شامل: تجزیه و تحلیل هزینه محاسباتی و کاوش اجزای سختافزار نامزد، پیشنهاد معماریهای سفارشی مختلف با استفاده از CMOS سنتی و نانوتکنولوژی ترکیبی CMOL است. بخش اول با معماری های ترکیبی CMOS-Nano به پایان می رسد.
بخش دوم، حافظه های پیشرفته SRAM، DRAM، و حافظه های فلش و همچنین مفاهیم دستگاه های نوظهور را پوشش می دهد. حافظه نیمه هادی نمونه خوبی از طراحی کامل سفارشی است که از مدارهای آنالوگ و منطقی مختلف برای استفاده از فیزیک دستگاه سلول حافظه استفاده می کند. اثرات فیزیکی حیاتی که شامل تونل زدن، تزریق الکترون داغ، به دام انداختن بار (فلش مموری) است به تفصیل مورد بحث قرار گرفته است. خاطرات نوظهور مانند FRAM، PRAM و ReRAM که به مغناطش، تراز اسپین الکترون، اثر فروالکتریک، چاه پتانسیل داخلی، اثرات کوانتومی و ذوب حرارتی بستگی دارند نیز شرح داده شدهاند.
CMOS پردازندهها و حافظهها برای هر کسی که در مورد طراحی مدار برای فناوریهای محاسباتی آینده جدی است، ضروری است. این کتاب توسط کارشناسان برجسته بین المللی در صنعت و دانشگاه نوشته شده است. می توان از آن در برنامه درسی دوره تحصیلات تکمیلی استفاده کرد.

نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.