خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Analysis of Composition and Strain State (Springer Tracts in Modern Physics)

توضیحاتی در مورد کتاب

این کتاب ابزارهای مناسبی برای بررسی کمی میکروسکوپ الکترونی نیمه هادی ارائه می دهد. این ابزارها امکان تعیین دقیق ترکیب نانوساختارهای نیمه هادی سه تایی را با وضوح فضایی در مقیاس های نزدیک به اتمی فراهم می کنند. این کتاب بر روش‌های جدید از جمله تحلیل حالت کرنش و همچنین ارزیابی ترکیب از طریق تکنیک تحلیل حاشیه‌ای شبکه (CELFA) تمرکز دارد. اصول اولیه این روش ها و همچنین مزایا، معایب و منابع خطا همگی مورد بحث قرار می گیرند. این تکنیک‌ها در چاه‌ها و نقاط کوانتومی به‌منظور ارائه بینشی در مورد اثرات رشد جنبشی مانند جداسازی و مهاجرت اعمال می‌شوند. در بخش اول کتاب مبانی میکروسکوپ الکترونی عبوری ارائه شده است. اینها برای درک تکنیک های تجزیه و تحلیل تصویر دیجیتال که در قسمت دوم کتاب توضیح داده شده است، مورد نیاز است. در آنجا خواننده اطلاعاتی در مورد روش های مختلف تعیین ترکیب پیدا می کند. بخش سوم کتاب بر کاربردهایی مانند تعیین ترکیب در InGaAs Stranski–Krastanov نقاط کوانتومی تمرکز دارد. در نهایت نشان داده شده است که چگونه می توان با ترکیب CELFA با هولوگرافی الکترونی، بهبودی در دقت ارزیابی ترکیب به دست آورد. این برای یک ابرشبکه AlAs/GaAs نشان داده شده است.