خرید و دانلود نسخه کامل کتاب III-Nitride Semiconductors and their Modern Devices
قیمت اصلی 79,500 تومان بود.42,000 تومانقیمت فعلی 42,000 تومان است.
تعداد فروش: 55
| عنوان فارسی | نیمه هادی های III-نیترید و دستگاه های مدرن آنها |
|---|---|
| عنوان اصلی | III-Nitride Semiconductors and their Modern Devices |
| ناشر | |
| نویسنده | Bernard G. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 661 |
| دسته | فناوری نانو |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 9 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
انتشارات دانشگاه آکسفورد، 2013. – 638 ص. — ISBN 978–0–19–968172–3
محتوا:
توسعه LEDهای UV/DUV مبتنی بر نیترید.
همواپیتاکسیال چالش: کریستال‌های GaN در فشار بالا برای دیودهای لیزر و آرایه‌های دیود لیزر رشد می‌کنند.
رشد هم‌پایه و مزایای GaN بر روی سیلیکون.
رشد نیترید آلومینیوم حجیم.
رشد هم‌پایه نقاط کوانتومی نیترید .
خواص لایه‌های InAlN تقریباً شبکه‌ای با GaN و استفاده از آنها برای فوتونیک و الکترونیک.
رشد و خواص نوری ناهم‌ساختارهای AlGaN غنی از آلومینیوم.
خواص نوری و ساختاری نور InGaN ساطع کننده ها در GaN غیرقطبی و نیمه قطبی.
دستگاه های تک نانوسیمی مبتنی بر GaN.
دستگاه های فوتونیکی و نانوفوتونیکی پیشرفته.
دستگاه های الکترونی مبتنی بر نیترید برای کاربردهای توان بالا/فرکانس بالا.
انتقال بین نواری در نیتریدهای کم بعدی.
نور آهسته در نیترید گالیوم.
دستگاه های نیترید و عملکرد زیستی آنها برای کاربردهای حسگر زیستی.
ترکیبات سه ظرفیتی دو ظرفیتی II-IV-N 2: دیدگاه‌هایی برای کلاس جدیدی از نیتریدهای با شکاف گسترده.
انتشار تراهرتز در سیستم‌های پلاریتونیک با نیتریدها.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.