خرید و دانلود نسخه کامل کتاب High-Linearity CMOS RF Front-End Circuits
قیمت اصلی 68,500 تومان بود.31,000 تومانقیمت فعلی 31,000 تومان است.
تعداد فروش: 67
| عنوان فارسی | مدارهای جلویی CMOS RF خطی بالا |
|---|---|
| عنوان اصلی | High-Linearity CMOS RF Front-End Circuits |
| ویرایش | 1 |
| ناشر | Springer |
| نویسنده | Yongwang Ding, Ramesh Harjani |
| ISBN | 9780387238012, 0387238018 |
| سال نشر | 2004 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 131 |
| دسته | الکترونیک: VLSI |
| فرمت کتاب | PDF – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 941 کیلوبایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
این مونوگراف تکنیک‌هایی را برای بهبود عملکرد مدارهای مجتمع خطی (IC) در CMOS در فرکانس‌های بالا ارائه می‌کند. این مدارها عمدتاً در فرکانس رادیویی (RF) سیستم‌های ارتباطی بی‌سیم، مانند تقویت‌کننده‌های کم نویز (LNA) و میکسرها در گیرنده و تقویت‌کننده‌های قدرت (PA) در فرستنده استفاده می‌شوند. یک تکنیک خطی سازی جدید ارائه شده است. با یک مبادله کوچک بهره و مصرف توان، این تکنیک می تواند خطی بودن اکثر مدارها را ده ها دسی بل بهبود بخشد. به ویژه، برای فرآیندهای CMOS مدرن، که اکثر آنها دارای تطبیق دستگاه بهتر از 1٪ هستند، اعوجاج را می توان تا 40 دسی بل در خروجی فشرده کرد. یک نمونه اولیه LNA در یک فرآیند CMOS 0.25 میلی‌متری، با IIP3 + 18 دسی‌بل متر ساخته شده است. این تکنیک محدوده دینامیکی گیرنده RF جلویی را تا 12 دسی بل بهبود می بخشد. کلاس جدیدی از تقویت کننده قدرت (کلاس موازی A&B) نیز برای گسترش محدوده عملیات خطی و صرفه جویی در مصرف برق DC ارائه شده است. با شبیه سازی ها و اندازه گیری ها نشان داده شده است که PA جدید حداکثر توان خروجی را دو برابر می کند و مصرف برق DC را تا 50٪ کاهش می دهد.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.