خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
قیمت اصلی 118,500 تومان بود.81,000 تومانقیمت فعلی 81,000 تومان است.
تعداد فروش: 71
| عنوان فارسی |
مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده |
|---|---|
| عنوان اصلی | Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices |
| ناشر | The Institution of Engineering and Technology |
| نویسنده | Fei (Fred) Wang, Zheyu Zhang, and Edward A. Jones |
| ISBN | 9781785614910, 1785614916 |
| سال نشر | 2018 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 350 |
| دسته | انرژی |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 79 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
در قلب مبدل های الکترونیک قدرت مدرن، دستگاه های سوئیچینگ نیمه هادی قدرت قرار دارند. ظهور دستگاه های نیمه هادی باندگپ گسترده (WBG)، از جمله کاربید سیلیکون و نیترید گالیم، نوید مبدل های الکترونیک قدرت با راندمان بالاتر، اندازه کوچکتر، وزن سبک تر و هزینه کمتر نسبت به مبدل های با استفاده از دستگاه های مبتنی بر سیلیکون را می دهد.
با این حال، دستگاههای WBG چالشهای جدیدی را برای طراحی مبدل ایجاد میکنند و به خصوصیات دقیقتری نیاز دارند، به ویژه به دلیل سرعت سوئیچینگ سریع و نیاز شدیدتر به حفاظت. خصوصیات دستگاه های نیمه هادی قدرت باندگپ گسترده روش های جامعی را با مثال هایی برای توصیف این دسته مهم از دستگاه های قدرت ارائه می دهد. پس از مقدمه، کتاب خصوصیات استاتیک پالس را پوشش می دهد. مشخصه ظرفیت اتصال. اصول شخصیت پردازی پویا؛ درایو دروازه برای توصیف پویا. طراحی چیدمان و مدیریت انگلی؛ طراحی حفاظتی برای تست دو پالس؛ اندازه گیری و پردازش داده ها برای توصیف پویا. بررسی بحث متقابل؛ تاثیر سیستم سه فاز؛ و ملاحظات توپولوژی
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.