خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations
قیمت اصلی 76,500 تومان بود.39,000 تومانقیمت فعلی 39,000 تومان است.
تعداد فروش: 58
| عنوان فارسی | سوئیچینگ مقاومتی: مواد اکسیدی، مکانیسم ها، دستگاه ها و عملیات |
|---|---|
| عنوان اصلی | Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations |
| ناشر | Springer |
| نویسنده | Jennifer Rupp, Daniele Ielmini, Ilia Valov |
| ISBN | 3030424235, 9783030424237 |
| سال نشر | 2021 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 386 |
| دسته | مواد |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 15 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
این کتاب بررسی گسترده ای از حافظه های سوئیچینگ مقاومتی مبتنی بر ردوکس (ReRAM) ارائه می دهد، یک فناوری امیدوارکننده برای انواع جدید دستگاه های نانوالکترونیک، طبق نقشه راه فناوری بین المللی برای نیمه هادی ها، و مواد و فرآیندهای فیزیکی مورد استفاده در این انتقال یونی. دستگاه های سوئیچینگ مبتنی بر مدل‌های سینتیکی نقص برای سوئیچینگ، روش‌های رسوب/ساخت ReRAM، تنظیم ریزساختارهای لایه نازک، و مشخصات و مدل‌سازی مواد/دستگاه را پوشش می‌دهد.
مجموعه ای از نویسندگان مشهور جهان به تأثیر نوع حامل های یونی، تحرک آنها، نقش ترکیب محلی و شیمیایی و محیط می پردازند و درک خوانندگان از اثرات ترکیب و ساختار را تسهیل می کنند. مقیاس های طولی مختلف (به عنوان مثال، فازهای کریستالی در مقابل آمورف، تاثیر عیوب گسترده مانند نابجایی ها و مرزهای دانه). ReRAM ها پتانسیل فوق العاده ای برای کاهش مقیاس تا سطح اتمی، عملکرد سریع در محدوده نانوثانیه، مصرف انرژی کم و ذخیره سازی غیرفرار نشان می دهند.
این کتاب برای دانشمندان و مهندسان مواد که با انواع جدیدی از دستگاه‌های نانوالکترونیکی مانند حافظه‌ها، ممریستورها و سوئیچ‌ها برای مدارهای محاسباتی منطقی و نورومورفیک فراتر از مفهوم فون نویمان مرتبط هستند، ایده‌آل است.
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.