خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering)
قیمت اصلی 161,000 تومان بود.86,000 تومانقیمت فعلی 86,000 تومان است.
تعداد فروش: 53
| عنوان فارسی |
دستگاه های اثر میدان مغناطیسی Strained-Si (علوم و مهندسی مواد) |
|---|---|
| عنوان اصلی | Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices (Material Science and Engineering) |
| ناشر | |
| نویسنده | C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K Bera |
| ISBN | 0750309938, 9781420012347 |
| سال نشر | 2007 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 438 |
| دسته | فن آوری |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 5 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
ترکیبی از علم مواد، فرآیندهای تولید، و تحقیقات و توسعههای پیشگام SiGe و Strained-Si سطح بیسابقهای از بهبود عملکرد را با هزینههای تولید پایین ارائه کردهاند. دستگاههای اثر میدان ناهمساختار Strained-Si که همه این حوزهها را در بر میگیرد، به نیازهای تحقیقاتی مرتبط با جنبههای جلویی گسترش فناوری CMOS از طریق مهندسی کرنش میپردازد. این کتاب مبنایی را برای مقایسه فنآوریهای موجود با جهتهای فناوری آینده CMOS ناهمساختار سیلیکونی فراهم میکند. پس از مقدمهای بر مواد، فصلهای بعدی بر میکروالکترونیک، بسترهای مهندسی، ماسفتها و هترو-FETها تمرکز دارند. هر فصل یافتههای تحقیقات اخیر، دستگاهها و مدارهای صنعتی، جداول و شکلهای متعدد، مراجع مهم و در صورت لزوم شبیهسازیهای کامپیوتری را ارائه میکند. موضوعات پوشش داده شده عبارتند از: کاربرد فیلم های SiGe-Si در فن آوری CMOS مبتنی بر SiGe، خواص الکترونیکی فیلم های دو محوره-strained-Si، و پیشرفت های تشکیل دی الکتریک گیت بر روی لایه های هترولوی کرنش شده-Si/SiGe. این کتاب همچنین هترو-FET های سیلیکونی را در سیستم های مواد SiGe و SiGeC، بهبود عملکرد ماسفت، و شبیه سازی استرس ناشی از فرآیند در ماسفت ها توصیف می کند. و نتایج ارائه شده در این کتاب بدون شک باعث پیشرفت بیشتر در این زمینه خواهد شد.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.