خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level

توضیحاتی در مورد کتاب

قابلیت اطمینان مدار مجتمع (IC) نگرانی فزاینده‌ای در فناوری آی‌سی امروزی است که در آن خرابی‌های اتصال به طور قابل‌توجهی با کاهش ابعاد اتصال و افزایش تعداد سطوح اتصال، نرخ خرابی IC‌ها را افزایش می‌دهد. مهاجرت الکتریکی (EM) اتصالات به مکانیسم اصلی شکست تبدیل شده است که قابلیت اطمینان مدار را تعیین می کند. این مختصر خوانندگان را به ضرورت مدل‌سازی مدارهای واقعی سه‌بعدی برای ارزیابی EM سیستم اتصال در آی‌سی‌ها و چگونگی ایجاد چنین مدل‌هایی برای کاربردهای خود می‌پردازد. یک مدل الکتروترمو ساختاری سه بعدی (3 بعدی) برخلاف مدل های دو بعدی مبتنی بر چگالی جریان معمولی (2D) در سطح طرح مدار ارائه شده است.

فهرست مطالب

پوشش

مدل‌سازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرح‌بندی مدار

شابک 9789814451208 شابک 9789814451215

پیشگفتار

فهرست

نمادها

فصل 1 مقدمه

1.1 مروری بر مهاجرت الکتریکی
1.2 مدلسازی مهاجرت الکتریکی
1.3 سازماندهی کتاب
1.4 خلاصه

فصل 2 ساخت و شبیه سازی مدل مدار سه بعدی

2.1 مقدمه
2.2 استخراج چیدمان و ساخت مدل سه بعدی
2.3 شبیه سازی های گذرا الکترو-ترمو-ساختاری و محاسبه واگرایی شار اتمی
2.3.1 تجزیه و تحلیل حرارتی-الکتریکی گذرا
o 2.3.1.1 شرایط مرزی
o 2.3.1.2 بارهای الکتریکی
o 2.3.1.3 اعمال بارهای الکتریکی
2.3.2 تحلیل ساختاری- حرارتی گذرا
o 2.3.2.1 شرایط مرزی
o 2.3.2.2 بارهای حرارتی
2.3.3 کاربرد زیرمدلینگ
2.3.4 محاسبه واگرایی شار اتمی
2.4 نتایج و بحث های شبیه سازی 2.4.1 توزیع چگالی جریان و دما
2.4.2 تغییرات گذرا دما در طول عملیات مدار
2.4.3 اثر ابعاد بستر بر روی دمای مدار
2.4.4 تغییرات تنش حرارتی مکانیکی گذرا در طول عملیات مدار
2.4.5 توزیع واگرایی های شار اتمی
2.5 اثرات ضخامت مانع و دی الکتریک کم j بر قابلیت اطمینان مدار EM
2.6 خلاصه

فصل 3 مقایسه عملکرد EM در ساختارهای مدار و آزمایش

3.1 مقدمه
3.2 راه اندازی ساخت و شبیه سازی مدل
3.3 توزیع واگرایی های شار اتمی تحت شرایط عملیاتی مختلف
3.4 اثرات ساختارهای اتصال متقابل بر قابلیت اطمینان مدار EM
3.5 اثرات شماره انگشت ترانزیستور بر قابلیت اطمینان مدار EM
3.6 خلاصه

فصل 4 مدل‌سازی قابلیت اطمینان EM به هم در سطح چیدمان مدار

4.1 مقدمه
4.2 راه اندازی ساخت و شبیه سازی مدل
4.3 توزیع واگرایی های شار اتمی 4.3.1 توزیع کل AFD مدل کامل
4.3.2 توزیع کل AFD مدل فرعی
4.4 اثرات طرح و پارامترهای فرآیند بر قابلیت اطمینان مدار EM
4.4.1 عرض خط و درجه چرخش
4.4.2 جهت گیری ترانزیستور
4.4.3 فاصله بین ترانزیستور
4.4.4 دمای بدون استرس متالیزاسیون
4.5 خلاصه

فصل 5 نکات پایانی

5.1 نتیجه گیری
5.2 توصیه هایی برای کار آینده