خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Plasma Immersion Ion Implantation – a fledgling techique for semiconductor processing
قیمت اصلی 153,000 تومان بود.78,000 تومانقیمت فعلی 78,000 تومان است.
تعداد فروش: 53
| عنوان فارسی |
Implantation یون پلاسما – یک روش جدید برای پردازش نیمه هادی است |
|---|---|
| عنوان اصلی | Plasma Immersion Ion Implantation – a fledgling techique for semiconductor processing |
| ناشر | |
| نویسنده | Chu P.K., Chen J.Y., Wang L.P., Huang N. |
| ISBN | |
| سال نشر | |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 74 |
| دسته | فیزیک حالت جامد |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 5 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
مقاله. علم و مهندسی مواد، R 17 (1996) 207-
280.
توضیح: کاشت یون غوطه ور پلاسما تک انرژی (PIII) در سیلیکون تنها در شرایط پلاسمای بدون برخورد قابل دستیابی است. به منظور کاهش بار جریان بر منبع تغذیه ولتاژ بالا و گرمایش مدولاتور و نمونه ناشی از یون های کاشته شده، فشار پلاسما باید پایین نگه داشته شود (1 mtorr). بنابراین، PIII فشار پایین، روش ارجح برای پردازش سیلیکون PIII مانند تشکیل سیلیکون روی عایق است. با استفاده از مدل خود، ویژگیهای فشار پایین PIII را شبیهسازی میکنیم و پنجرههای فرآیند مناسب PIII هیدروژن را برای فرآیند برش یونی شناسایی میکنیم. آزمایشهایی برای بررسی جزئیات در سه مورد از مهمترین پارامترها در PIII فشار پایین انجام میشود: عرض پالس، ولتاژ و فشار گاز. ما همچنین مورد یک پالس بی نهایت طولانی را مطالعه می کنیم، یعنی dc PIII
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.