خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Electronic Properties of Doped Semiconductors

توضیحاتی در مورد کتاب



نسل اول نیمه هادی ها را نمی توان به درستی “دوپ شده” نامید – آنها به سادگی بسیار ناخالص بودند. ناخالصی های کنترل نشده مانع از کشف قوانین فیزیکی می شد، محققان را گیج می کرد و بدبینی و تمسخر را در طرفداران رشته های فیزیکی “ناب” در حال رشد ایجاد می کرد. حذف نهایی “کثافت” نوید دهنده عصر جدیدی در فیزیک نیمه هادی ها بود، عصری که شعار “پاکیت” را داشت. این دوره بود که موفقیت های دهه 1950 را به همراه داشت و فناوری جدیدی را به وجود آورد. آزمایش‌ها با کریستال‌های خالص، محرک قدرتمندی برای توسعه نظریه نیمه‌رساناها بود. روش‌ها و نظریه‌های جدیدی توسعه و آزمایش شدند: روش جرم مؤثر برای نوارهای پیچیده، نظریه حالت‌های ناخالصی، و نظریه پدیده‌های جنبشی. این پیشرفت‌ها چیزی را تشکیل می‌دهند که امروزه به عنوان فیزیک نیمه‌رساناها شناخته می‌شود. با این حال، در پانزده سال گذشته، تغییر محسوسی به سمت نیمه‌هادی‌های ناخالص صورت گرفته است – تغییری که به این دلیل اتفاق افتاد که دقیقاً ناخالصی‌ها هستند که برای تعدادی از دستگاه های نیمه هادی اصلی فناوری به نیمه هادی های ناخالص نیاز دارد، که بر خلاف اقلام نسل اول، به جای «ناخالص»، «دوپ شده» نامیده می شوند تا نشان دهند که اکنون می توان سطوح ناخالصی را تا حدی کنترل کرد.