خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology
قیمت اصلی 82,500 تومان بود.45,000 تومانقیمت فعلی 45,000 تومان است.
تعداد فروش: 79
| عنوان فارسی | ساخت فناوری SiGe HBT BiCMOS |
|---|---|
| عنوان اصلی | Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology |
| ویرایش | 1 |
| ناشر | CRC Press |
| نویسنده | John D. Cressler |
| ISBN | 1420066870, 9781420066876 |
| سال نشر | 2007 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 260 |
| دسته | الکترونیک: VLSI |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 6 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
فناوری SiGe HBT BiCMOS پیشگام آشکار فضای کاربرد ناهمسان ساختارهای Si است. تا به امروز، تقریباً هر بازیگر اصلی در بازار الکترونیک ارتباطات، یا SiGe را در داخل خود راه‌اندازی و راه‌اندازی می‌کند یا از دستگاه SiGe شخص دیگری به عنوان ریخته‌گری برای طراحان خود استفاده می‌کند. کلید این موفقیت در ادغام موفقیت آمیز SiGe HBT و Si CMOS نهفته است، بدون از دست دادن عملکرد هر دو دستگاه. ساخت فن آوری های SiGe HBT BiCMOS با مشارکت کارشناسان برجسته، بحث کاملی از این موضوعات را در یک منبع واحد گرد هم می آورد. این جلد برگرفته از کتاب جامع و به خوبی بررسی شده سیلیکون Heterostructure، طراحی، ساخت و کاربرد ترانزیستورهای ناهم ساختار سیلیکونی را بررسی می کند. جنبه جدید این کتاب گنجاندن نماهای عکس فوری متعدد از پیشرفته ترین صنعت برای فناوری SiGe HBT BiCMOS است. این به دقت طراحی شده است تا مبنایی مفید برای مقایسه برای وضعیت فعلی و مسیر آینده صنعت جهانی فراهم کند. علاوه بر مطالب فنی فراوان و مراجع متعدد موجود در هر فصل، این کتاب شامل ضمیمه‌هایی با مرجع آسان در مورد خواص Si و Ge، روابط تعمیم‌یافته Moll-Ross، روابط انتگرال بار-کنترل، و نمونه SiGe HBT است. پارامترهای مدل فشرده
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.