خرید و دانلود نسخه کامل کتاب X-Ray Scattering from Semiconductors, 2nd Edition

توضیحاتی در مورد کتاب

راهنمای عملی برای تجزیه و تحلیل مواد، از جمله شرح نظریه های اساسی و انحرافات ابزاری ناشی از آزمایش های واقعی. تاکید اصلی مربوط به تجزیه و تحلیل لایه های نازک و چند لایه، در درجه اول نیمه هادی ها است، اگرچه تکنیک ها بسیار کلی هستند. نیمه هادی ها می توانند بلورهای مرکب بسیار کاملی باشند و بنابراین مطالعه آنها می تواند به بیشترین حجم اطلاعات منجر شود، زیرا پراکندگی اشعه ایکس می تواند انحراف از کمال را ارزیابی کند. توصیف عمداً مفهومی است تا خواننده بتواند فرآیندهای واقعی درگیر را درک کند. به این ترتیب تجزیه و تحلیل باید به طور قابل توجهی آسان تر شود و خواننده را از مصنوعات گمراه کننده آگاه کند و به تعیین یک تحلیل کامل تر و قابل اعتمادتر کمک کند. تئوری پراکندگی بسیار مهم است و به گونه ای پوشش داده شده است که مفروضات آن روشن باشد. بیشترین تاکید بر نظریه پراش دینامیکی از جمله توسعه‌هایی است که کاربرد آن را برای نقشه‌برداری فضای متقابل و نمونه‌های مدل‌سازی با رابط‌های آرام و مخدوش گسترش می‌دهند. یک راهنمای عملی برای اندازه گیری الگوهای پراش، از جمله اثرات لکه گیری معرفی شده به اندازه گیری، نیز ارائه شده است.