خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Electronic Structure of Semiconductor Interfaces

توضیحاتی در مورد کتاب

این جلد مختصر به بررسی پارامترهای الکترونیکی مشخصه رابط‌های نیمه‌رسانا می‌پردازد، یعنی ارتفاع موانع فلز-نیمه‌رسانا یا تماس‌های شاتکی و ناپیوستگی‌های باند ظرفیت رابط‌های نیمه‌رسانا-نیمه‌رسانا یا ساختارهای ناهمسان. هر دو با یک مفهوم مشخص می‌شوند، یعنی دم تابع موج حالت‌های الکترونی که مستقیماً در سطح مشترک با یک شکاف باند نیمه‌رسانا همپوشانی دارند. این حالت های شکاف ناشی از رابط (IFIGS) از ساختار نوار پیچیده نیمه هادی مربوطه ناشی می شود. IFIGS با دو پارامتر مشخص می شود، یعنی نقطه انشعاب آنها، که در آن خصیصه بار آنها از باند ظرفیت غالب به نوار رسانایی تغییر می کند، و دوم با ضریب تناسب یا پارامتر شیب عبارت دوقطبی الکتریکی مربوطه، که متناسب با اختلاف الکترونگاتیوهای دو جامد تشکیل دهنده سطح مشترک متفاوت است. این مفهوم IFIGS-and-electronegativity به طور مداوم و کمی ارتفاع موانع مشاهده شده تجربی در تماس‌های شاتکی و همچنین انحراف‌های باند ظرفیت ناهم‌ساختارها را توضیح می‌دهد. عایق ها به عنوان نیمه هادی های پهن باند در نظر گرفته می شوند.