خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Electronic device architectures for the nano-CMOS era: from ultimate CMOS scaling to beyond CMOS devices

توضیحاتی در مورد کتاب

این کتاب یک نمای کلی پیشرفته توسط محققان بین المللی شناخته شده در مورد معماری دستگاه های الکترونیکی مورد نیاز برای دوره NanoCMOS و فراتر از آن ارائه می دهد. چالش‌های مربوط به مقیاس‌بندی نانوالکترونیک CMOS از طریق گزینه‌های مختلف Core CMOS و Memory Devices در قسمت اول کتاب مورد بررسی قرار گرفته‌اند. بخش دوم به بررسی مفاهیم دستگاه جدید برای نانوالکترونیک فراتر از CMOS می‌پردازد. محدودیت های اساسی CMOS هسته چیست، و آیا می توانیم با معرفی مواد یا فرآیندهای جدید، مقیاس بندی را بهبود ببخشیم؟ آیا معماری‌های جدید با استفاده از SOI، چند دروازه‌ها یا چند کاناله باعث بهبود مبادله بین عملکرد و مصرف انرژی و کاهش محدودیت‌های یکپارچه‌سازی مواد جدید می‌شوند؟ آیا محاسبات کوانتومی می تواند جایگزین پروتکل های مبتنی بر باینری برای افزایش قدرت پردازش اطلاعات شود؟ به این سؤالات و سؤالات دیگر در این کتاب پاسخ داده شده است.

محتوا: CMOS Nanoelectronics. رسیدن به پایان نقشه راه: CMOS اصلی: محدودیت‌های فیزیکی و فناوری دستگاه‌های NanoCMOS تا انتهای نقشه راه و فراتر از آن (S Deleonibus، O Faynot، B ​​de Salvo، T Ernst، C Le Royer، T Poiroux & M Vinet). دستگاه‌های پیشرفته CMOS در حجم و SOI: فیزیک، مدل‌سازی و مشخصه‌سازی (T Poiroux & G Le Carval). ساختار دستگاه ها و ویژگی های حمل و نقل حامل CMOS پیشرفته با استفاده از کانال های با تحرک بالا (S Takagi، T Tezuka، T Irisawa، S Nakaharai، T Numata، K Usuda، N Sugiyama، M Shichijo، R Nakane و S Sugahara). دی الکتریک گیت با کاپا بالا (H Wong، K Shiraishi، K Kakushima & H Iwai)؛ ساخت اتصال منبع و تخلیه فوق العاده کم عمق (B Mizuno); طرح های جدید اتصال: پایان مس، اتصالات نوری؟ (S Laval، L Vivien، E Cassan، D Marris-Morini و J-M Fédéli); دستگاه های حافظه: فناوری ها و مسائل کلیدی طراحی برای دستگاه های حافظه (K Kim & G Jeong). فن آوری های FeRAM و MRAM (Y Arimoto)؛ حافظه های ذخیره سازی شارژ پیشرفته: از نانو کریستال های سیلیکونی تا دستگاه های مولکولی (B De Salvo & G Molas). مفاهیم جدید برای نانوالکترونیک مسیرهای جدید اضافه شده به CMOS فراتر از پایان نقشه راه: دستگاه ها و برنامه های تک الکترونی (J Gautier، X Jehl و M Sanquer). ویژگی های الکترونیکی تک لایه های آلی و دستگاه های مولکولی (D Vuillaume); کربن نانولوله الکترونیک (V Derycke، A Filoramo & J-P Bourgoin)؛ Spin Electronics (K-J Lee & S H Lim); بلند مدت: پردازش اطلاعات کوانتومی و ارتباطات (P Jorrand).