خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures
قیمت اصلی 179,000 تومان بود.104,000 تومانقیمت فعلی 104,000 تومان است.
تعداد فروش: 54
| عنوان فارسی |
روابط پراکندگی در نانوساختارهای سنگین دوپ |
|---|---|
| عنوان اصلی | Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures |
| ویرایش | 1 |
| ناشر | Springer International Publishing |
| نویسنده | Kamakhya Prasad Ghatak (auth.) |
| ISBN | 9783319209999, 9783319210001 |
| سال نشر | 2016 |
| زبان | English |
| تعداد صفحات | 664 |
| دسته | فناوری نانو |
| فرمت کتاب | pdf – قابل تبدیل به سایر فرمت ها |
| حجم فایل | 8 مگابایت |
آنتونی رابینز میگه : من در 40 سالگی به جایی رسیدم که برای رسیدن بهش 82 سال زمان لازمه و این رو مدیون کتاب خواندن زیاد هستم.
توضیحاتی در مورد کتاب
این کتاب رابطه پراکندگی را در ساختارهای نانو به شدت دوپ شده ارائه می کند. مواد در نظر گرفته شده عبارتند از III-V، II-VI، IV-VI، GaP، Ge، آنتیمونید پلاتین، تحت فشار، سوپرشبکه های GaSb، Te، II-V، HgTe/CdTe و نیمه هادی های بیسموت تلوراید. رابطه پراکندگی تحت کوانتیزاسیون مغناطیسی و بر اساس طیف انرژی حامل مورد بحث قرار می گیرد. تأثیرات میدان مغناطیسی، وارونگی مغناطیسی، و ساختارهای مغناطیسی نیپی بر روی ساختارهای نانو مورد تجزیه و تحلیل قرار میگیرد. ساختار نواری مواد نوری با عکس برانگیختگی به روشی اساسی مطابق با قوانین جدید پراکندگی الکترون فرموله شده تغییر می کند. آنها اثر کوانتومی را در دستگاه های اپتوالکترونیکی در حضور نور کنترل می کنند. اندازه گیری شکاف باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور عکس تحریک خارجی نمایش داده می شود. تأثیرات کوانتیزاسیون مغناطیسی، میدانهای الکتریکی متقاطع و کوانتیزاسیون، میدانهای الکتریکی شدید بر روی رابطه پراکندگی در نیمههادیها و ابرشبکههای به شدت دوپشده نیز مورد بحث قرار میگیرد. این کتاب شامل 200 مسئله تحقیق باز است که جزء لاینفک متن است و برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و محققین مفید است. این کتاب برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی، محققین و مهندسان نوشته شده است.
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.